SQ2309ES-T1_GE3
Vishay Siliconix
Deutsch
Artikelnummer: | SQ2309ES-T1_GE3 |
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Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 60V 1.7A TO236 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $0.67 |
10+ | $0.572 |
100+ | $0.4269 |
500+ | $0.3354 |
1000+ | $0.2592 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | SOT-23-3 (TO-236) |
Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 336mOhm @ 3.8A, 10V |
Verlustleistung (max) | 2W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 265 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.5 nC @ 10 V |
Typ FET | P-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 1.7A (Tc) |
Grundproduktnummer | SQ2309 |
SQ2309ES-T1_GE3 Einzelheiten PDF [English] | SQ2309ES-T1_GE3 PDF - EN.pdf |
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2024/04/18
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2023/12/20
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Zielpreis (USD)
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