SQ2309ES-T1_GE3

Name: Vishay Siliconix SQ2309ES-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQ2309ES-T1_GE3
Price: 0.381 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (844 reviews)

Hersteller-Teilenummer:	SQ2309ES-T1_GE3
Hersteller / Marke:	Vishay / Siliconix
Teil der Beschreibung:	MOSFET P-CHAN 60V SOT23
Datenblätte:	SQ2309ES-T1_GE3.pdf
RoHs Status:	Lead free / RoHS Compliant
Zustand des Lagers:	50000 pcs Stock
ECAD -Modell:
Liefern von:	Hong Kong
Versandweg:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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ArtikelnummerSQ2309ES-T1_GE3
HerstellerVishay / Siliconix
BeschreibungMOSFET P-CHAN 60V SOT23
KategorieDiskrete Halbleiterprodukte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel
Teilstatus50000 pcs Stock
VGS (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Vgs (Max)±20V
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-GehäuseTO-236 (SOT-23)
SerieAutomotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs336 mOhm @ 3.8A, 10V
Verlustleistung (max)2W (Tc)
VerpackungTape & Reel (TR)
Verpackung / GehäuseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds265pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.5nC @ 10V
Typ FETP-Channel
FET-Merkmal-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)60V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C1.7A (Tc)
SQ2309ES-T1_GE3 Einzelheiten PDF [English]SQ2309ES-T1_GE3 PDF - EN.pdf

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